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SUN-502P 紫外正性光刻膠，是星泰克專利技術，主要特點為耐干法刻蝕性能好，120℃ 堅膜不變形。適合于深刻蝕工藝，比如 7 微米以上的氮化鎵刻蝕。SUN-502P 采用安全性溶劑。

SUN-100P 系列紫外正性光刻膠采用安全溶劑，具有曝光靈敏度高、對比度高、分辨率高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優點。配方按 i- 線和g- 線光刻優化，金屬離子濃度在 20ppb 以下，可廣泛應用于 0.35μm 及以上線寬的IC 及相關半導體制造工藝。

一次旋涂可以達到20μm厚度，膜厚均勻，無氣泡，不開裂。曝光量適中，圖形陡直度高，耐電鍍液，特別適應于先進封裝bumping工藝。本產品性能穩定，廣受歡迎與好評，榮獲世界半導大會2018年度“中國半導體創新產品和技術”獎 。

我司自主研發的環境穩定型的化學放大光刻膠（ESCAP），用于 248nm KrF 準分子激光器光刻，可以用于 0.15-0.35 微米 Gate、Contact hole 等圖形的制造。

SUN-DeePR 耐深腐蝕負膠具有優異的抗酸、抗堿腐蝕性能，特別是可耐高濃度 HF 酸腐蝕體系，具有良好的粘附性和較高的分辨率及高感度，是一款取代傳統環化橡膠體系負性光刻膠的產品。該產品不含有甲苯、二甲苯等對人體有害的溶劑成分，采用安全通用溶劑，低濃度堿性水溶液顯影，純水定影，無環保隱患，大大降低客戶使用成本。廣泛用于微電子微機械制造及相關半導體制造領域。

高硅光刻膠為星泰克自有技術，具有專利保護，既有正相也有負相，也可正負雙相。其高含硅量使其具有高抗干法刻蝕性能，應用范圍廣，典型應用是將 IC 制程中的三層工藝簡化為兩層，將首層光刻膠與第二層硅 BARC 用一層高硅光刻膠替代。

SUN-8i紫外負性光刻膠采用安全溶劑，具有曝光靈敏度高、對比度高、分辨率高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優點，其最大特點是膜厚厚度范圍寬，最高可達100μm以上，可廣泛應用于微電子微機械制造及相關半導體制造領域以及需要高深寬比應用的工藝中。

適合于堿性顯影液顯影，采用安全溶劑，具有對比度高、分辨率高、附著性佳、易于去除以及良好的工藝寬容度等諸多優點，是lift-off制造工藝的專用光刻膠。

SUN-2000N 紫外負性光刻膠采用安全溶劑，具有曝光劑量低、對比度高、分辨率高、光透過率高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優點。可廣泛應用于觸摸屏中的架橋層和鈍化層等制造工藝。